Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Project

Toegang tot Europese infrastructuur voor nano-elektronica

Informatie

Projectteam

Organisaties

Output en outcomes

Publicaties

Extending electrostatic modeling for Schottky p-GaN gate HEMTs : uniform and engineered p-GaN doping

Mojtaba AlaeiMatteo BorgaElena FabrisStefaan DecoutereJohan LauwaertBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

2024

Modeling gate leakage current for p-GaN gate HEMTs with engineered doping profile

Mojtaba AlaeiMatteo BorgaElena FabrisStefaan DecoutereJohan LauwaertBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

2024

A fully integrated half-bridge driver circuit in All-GaN GAN-IC technology

Urmimala ChatterjeeHerbert De PauwOlga SyshchykThibault CosnierAnurag VohraStefaan Decoutere

A1 Artikel in een tijdschrift in SOLID-STATE ELECTRONICS

2023