Acroniem
YESvGaN
Code
41I01221
Looptijd
01-05-2021 → 31-10-2024
Financiering
Europese middelen: divers
Promotor
Onderzoeksdisciplines
-
Natural sciences
- Electronic (transport) properties
- Semiconductors and semimetals
- Surfaces, interfaces, 2D materials
- Materials physics not elsewhere classified
-
Engineering and technology
- Semiconductor devices, nanoelectronics and technology
Trefwoorden
GaN
hoogvermogen transistoren
Projectomschrijving
YESvGaN zal een nieuwe klasse verticale GaN-vermogenstransistors opzetten die de prestatievoordelen van verticale Wide Band Gap (WBG)-transistoren combineert met de kostenvoordelen van gevestigde siliciumtechnologie. Deze transistors kunnen IGBT's vervangen en zo vermogensconversieverliezen verminderen in veel prijsgevoelige toepassingen, variërend van voedingen in datacenters tot tractie-omvormers voor elektrische voertuigen. YESvGaN omvat de ontwikkeling van de benodigde nieuwe technologie van wafer tot applicatie.