Project

YESvGAN: verticale GaN op Silicium: grote verboden zone vermogen aan de kost van silicium

Acroniem
YESvGaN
Looptijd
01-05-2021 → Lopend
Financiering
Europese middelen: divers
Onderzoeksdisciplines
  • Natural sciences
    • Electronic (transport) properties
    • Semiconductors and semimetals
    • Surfaces, interfaces, 2D materials
    • Materials physics not elsewhere classified
  • Engineering and technology
    • Semiconductor devices, nanoelectronics and technology
Trefwoorden
GaN hoogvermogen transistoren
 
Projectomschrijving

YESvGaN zal een nieuwe klasse verticale GaN-vermogenstransistors opzetten die de prestatievoordelen van verticale Wide Band Gap (WBG)-transistoren combineert met de kostenvoordelen van gevestigde siliciumtechnologie. Deze transistors kunnen IGBT's vervangen en zo vermogensconversieverliezen verminderen in veel prijsgevoelige toepassingen, variërend van voedingen in datacenters tot tractie-omvormers voor elektrische voertuigen. YESvGaN omvat de ontwikkeling van de benodigde nieuwe technologie van wafer tot applicatie.