YESvGaN zal een nieuwe klasse verticale GaN-vermogenstransistors opzetten die de prestatievoordelen van verticale Wide Band Gap (WBG)-transistoren combineert met de kostenvoordelen van gevestigde siliciumtechnologie. Deze transistors kunnen IGBT's vervangen en zo vermogensconversieverliezen verminderen in veel prijsgevoelige toepassingen, variërend van voedingen in datacenters tot tractie-omvormers voor elektrische voertuigen. YESvGaN omvat de ontwikkeling van de benodigde nieuwe technologie van wafer tot applicatie.