Project

Fundamentele studie van atomaire laag depositie voor contacterings- en interconnectietoepassingen in de nanoelektronica

Looptijd
01-01-2009 → 31-10-2011
Financiering
Gewestelijke en gemeenschapsmiddelen: Bijzonder Onderzoeksfonds
Onderzoeksdisciplines
  • Natural sciences
    • Condensed matter physics and nanophysics
Trefwoorden
silicide dunne film atomaire laag depositie diffusiebarrière
 
Projectomschrijving

Atomaire laag deposite (ALD) is een zelf-gelimiteerde filmgroeitechniek, waarbij de groeiende film alternerend wordt blootgesteld aan pulsen van precursor gassen. De belangrijkste voordelen van ALD betreffen de gelijkvormige groei en de uitstekende controle over laagdikte, stoechiometrie en uniformiteit. Tijdens dit project is het onze bedoeling om ALD processen te onderzoeken voor de groei van diffusiebarrières en contacteringsmaterialen voor toepassingen in de nano-elektronica.