Atomaire laag deposite (ALD) is een zelf-gelimiteerde filmgroeitechniek, waarbij de groeiende film alternerend wordt blootgesteld aan pulsen van precursor gassen. De belangrijkste voordelen van ALD betreffen de gelijkvormige groei en de uitstekende controle over laagdikte, stoechiometrie en uniformiteit. Tijdens dit project is het onze bedoeling om ALD processen te onderzoeken voor de groei van diffusiebarrières en contacteringsmaterialen voor toepassingen in de nano-elektronica.