Het project zal zich richten op het optimalseren van het ontwerp van heterogeen, op silicium geintegreerde laserdiodes (zowel DFB- als DBR laserdiodes) voor data communicatie en sensing. De optimisatie zal zich richten op het bekomen van heel hoge vermogenefficienties en de optimale ontwerpen zullen ook gefabriceerd en gekarakteriseerd worden. Silicium en siliciumnitride zijn zelf niet geschikt als materiaal om lichtbronnen te maken en zij dienen gecombineerd te worden met III-V materialen op basis van indiumfosfide of galliumarsenide. Deze III-V materialen zijn, wegens verschillen in kristalstructuur, moeilijk te groeien op silicium(nitride) en vereisen dus een soort hybriede of heterogene integratie (dmv. bonding en printing technieken).

Voor de optimisatie zal de epitaxiale lagenstructuur van het III-V materiaal eerst geoptimiseerd worden.