Research Explorer

Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Onderzoeker

Walter Gonçalez Filho

Publicaties & datasets

Prijzen & Erkenningen

6 Resultaten

2025

Physics and reliability of (semi-)vertical gallium-nitride power transistors

Walter Gonçalez FilhoBenoit BakerootJan Doutreloigne

2024

Electrical stability of MOS structures with AlON and Al2O3 dielectrics deposited on n-and p-type GaN

Walter Gonçalez FilhoMatteo BorgaKaren GeensMd Arif KhanDeepthi CinguUrmimala ChatterjeeStefaan DecoutereWerner KnaepenSeda KizirPanagiota Arnou et al.

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability

Walter Gonçalez FilhoMatteo BorgaKaren GeensMd Arif KhanDeepthi CinguUrmimala ChatterjeeAnurag VohraStefaan DecoutereBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in APPLIED PHYSICS LETTERS

2023

Development and analysis of thick GaN drift layers on 200 mm CTE-matched substrate for vertical device processing

Walter Gonçalez FilhoMatteo BorgaKaren GeensDeepthi CinguUrmimala ChatterjeeSourish BanerjeeAnurag VohraHan HanAlbert MinjHerwig Hahn et al.

A1 Artikel in een tijdschrift in SCIENTIFIC REPORTS

High-temperature PBTI in trench-gate vertical GaN power MOSFETs : role of border and semiconductor traps

D. FaveroA. CavaliereC. De SantiM. BorgaWalter Gonçalez FilhoK. GeensBenoit BakerootS. DecoutereG. MeneghessoE. Zanoni et al.

2022

Design and characterization of p-body layer of vertical GaN devices on engineered substrates

Matteo BorgaWalter Gonçalez FilhoKaren GeensBenoit BakerootHu LiangStefaan Decoutere