Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Stefaan Forment
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
13
Resultaten
2007
Lifetime and leakage current considerations in metal-doped germanium
E SIMOEN
C CLAEYS
S SIONCKE
J VAN STEENBERGEN
M MEURIS
Stefaan Forment
Jan Vanhellemont
Paul Clauws
Antoon Theuwis
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
2007
2006
A deep-level transient spectroscopy study of Co- and Ni-germanided n-type germanium
K OPSOMER
E SIMOEN
C CLAEYS
K MAEX
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
2006
A deep-level transient spectroscopy study of transition metals in n-type germanium
Stefaan Forment
Jan Vanhellemont
Paul Clauws
J VAN STEENBERGEN
S SIONCKE
M MEURIS
E SIMOEN
Antoon Theuwis
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
2006
Deep level transient spectroscopy study of nickel-germanide Schottky barriers on n-type germanium
E SIMOEN
K OPSOMER
C CLAEYS
K MAEX
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
2006
Point-defect generation in Ni-,Pd-, and Pt-germanided Schottky barriers on n-type germanium
Eddy R Simoen
Karl Opsomer
CL Claeys
Karen Maex
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
Paul Clauws
C1
Conferentie
2006
The effect of Schottky metal thickness on barrier height inhomogeneity in identically prepared Au/n-GaAs Schottky diodes
M BIBER
O GULLU
Stefaan Forment
Roland Vanmeirhaeghe
A TURUT
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006
2005
Een fundamentele studie van inhomogeniteiten en dipooleffecten bij metaal/halfgeleidercontacten
Stefaan Forment
Roland Vanmeirhaeghe
Proefschrift
2005
The barrier height inhomogeneity in identically prepared Au/n-GaAs Schottky barrier diodes
Wouter Leroy
Karl OPSOMER
Stefaan Forment
Roland Vanmeirhaeghe
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2005
Voltage dependence of effective barrier height reduction in inhomogeneous Schottky diodes
GP RU
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
YL JIANG
XP QU
SY ZHU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2005
2004
Effects of the annealing temperature on Ni silicide/n-Si(100) Schottky contacts
SY ZHU
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
GP RU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2004
Influence of hydrogen treatment and annealing processes upon the Schottky barrier height of Au/n-GaAs and Ti/n-GaAs diodes
Stefaan Forment
M BIBER
Roland Vanmeirhaeghe
Wouter Leroy
A TURUT
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2004
Schottky barrier characteristics of ternary silicide Co1-xNixSi2 on n-Si(100) contacts formed by solid phase reaction of multilayer
SY ZHU
Roland Vanmeirhaeghe
Stefaan Forment
GP RU
XP QU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2004
2001
A comparative study of electrochemically formed and vacuum-deposited n-GaAs/Au Schottky barriers using ballistic electron emission microscopy (BEEM).
Stefaan Forment
Roland Vanmeirhaeghe
An De Vrieze
Katrien Strubbe
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2001