Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Outputs & Impact
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Olivier De Gryse
Profiel
Projecten
Publicaties & datasets
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
Octrooien
19
Resultaten
2006
Determination of oxide precipitate phase and morphology in silicon and germanium using infra-red absorption spectroscopy
Olivier De Gryse
Jan Vanhellemont
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
2006
2005
Critical precipitate size revisited and implications for oxygen precipitation in silicon
Jan Vanhellemont
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
2005
Precipitation and extended defect formation in silicon
Jan Vanhellemont
Olivier De Gryse
Paul Clauws
P1
Conferentie
2005
2004
DLTS studies of high-temperature electron irradiated Cz n-Si
V NEIMASH
M KRAS'KO
A KRAITCHINSKII
V VOYTOVYCH
V TISHCHENKO
E SIMOEN
JM RAFI
C CLAEYS
Jorg Versluys
Olivier De Gryse
et al.
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
2004
Extended defects in silicon: an old and new story
Jan Vanhellemont
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004
2003
A model for the formation of lattice defects at silicon oxide precipitates in silicon
Jan Vanhellemont
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
2003
A novel approach to analyse FTIR spectra of precipitates in boron-doped silicon
Olivier De Gryse
Jan Vanhellemont
Paul Clauws
O Lebedev
J Van Landuyt
Eddy Simoen
C Claeys
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
2003
Characterisation of oxygen and oxygen-related defects in highly- and lowly-doped silicon
E SIMEON
C CLAEYS
R LOO
Olivier De Gryse
Paul Clauws
R JOB
AG ULYASHIN
W FAHRNER
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
2003
Deep levels in oxygenated n-type high-resistivity FZ silicon before and after a low-temperature hydrogenation step
E SIMOEN
C CLAEYS
R JOB
AG ULYASHIN
WR FAHRNER
G TONELLI
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
2003
2002
Chemical and structural characterization of oxide precipitates in heavily boron doped silicon by infrared spectroscopy and transmission electron microscopy
Olivier De Gryse
Paul Clauws
Jan Vanhellemont
O LEBEDEV
J VAN LANDUYT
E SIMOEN
C CLAEYS
P1
Conferentie
2002
Hydrogen plasma-enhanced thermal donor formation in n-type oxygen-doped high-resistivity float-zone silicon
Eddy Simoen
C Claeys
R Job
AG Ulyashin
WR Fahrner
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
2002
On the nucleation of bulk stacking faults in CZ silicon
Jan Vanhellemont
Olivier De Gryse
Paul Clauws
P1
Conferentie
2002
Optical spectroscopy of oxygen precipitates in heavily doped p-type silicon
Eddy Simoen
R Loo
C Claeys
Olivier De Gryse
Paul Clauws
J Van Landuyt
O Lebedev
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
2002
The behaviour of oxygen in oxygenated n-type high resistivity Float-Zone silicon
Eddy Simoen
C Claeys
R Job
AG Ulyashin
WR Fahrner
G Tonelli
Olivier De Gryse
Paul Clauws
P1
Conferentie
2002
2001
Chemical and structural characterization of oxygen precipitates in silicon by infrared spectroscopy and TEM
Olivier De Gryse
Paul Clauws
O Lebedev
J Van Landuyt
J Vanhellemont
C Claeys
Eddy Simoen
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
2001
2000
Quantification of the low temperature infrared vibrational modes from interstitial oxygen in silicon
Olivier De Gryse
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2000
1999
Accurate infrared absorption measurement of interstitial and precipitated oxygen in p+ silicon wafers
Olivier De Gryse
Paul Clauws
L. Rossou
J. Van Landuyt
J. Vanhellemont
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROELECTRONIC ENGINEERING
1999
Accurate infrared spectroscopy determination of interstitial and precipitated oxygen in highly doped Czochralski-grown silicon
Olivier De Gryse
Paul Clauws
L Rossou
J Van Landuyt
Jan Vanhellemont
A1
Artikel in een tijdschrift
in
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS
1999
1998
Accurate infrared absorption measurement of interstitial and precipitated oxygen in heavily doped silicon
Olivier De Gryse
Paul Clauws
L ROSSOU
J VAN LANDUYT
Jan Vanhellemont
Willy Mondelaers
P1
Conferentie
1998