Research Explorer

Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Onderzoeker

Mojtaba Alaei

Publicaties & datasets

Prijzen & Erkenningen

6 Resultaten

2025

Compact modeling of gallium nitride power high-electron-mobility transistors

Mojtaba AlaeiBenoit BakerootJohan Lauwaert

Modeling and analysis of terminal capacitances in high-power devices : application to p-GaN gate HEMTs

Mojtaba AlaeiHerbert De PauwElena FabrisStefaan DecoutereJan DoutreloigneJohan LauwaertBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

2024

Extending electrostatic modeling for Schottky p-GaN gate HEMTs : uniform and engineered p-GaN doping

Mojtaba AlaeiMatteo BorgaElena FabrisStefaan DecoutereJohan LauwaertBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

Modeling gate leakage current for p-GaN gate HEMTs with engineered doping profile

Mojtaba AlaeiMatteo BorgaElena FabrisStefaan DecoutereJohan LauwaertBenoit Bakeroot

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

2023

Substrate network modeling for lateral p-GaN gate HEMTs in a 200V GAN-IC platform

Mojtaba AlaeiHerbert De PauwUrmimala ChatterjeeStefaan DecoutereJohan LauwaertBenoit Bakeroot

2020

Modeling of short-channel effects in GaN HEMTs

Mojtaba AlaeiMajid ShalchianFarzan Jazaeri

A1 Artikel in een tijdschrift in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES