Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Mojtaba Alaei
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
4
Resultaten
2024
Extending electrostatic modeling for Schottky p-GaN gate HEMTs : uniform and engineered p-GaN doping
Mojtaba Alaei
Matteo Borga
Elena Fabris
Stefaan Decoutere
Johan Lauwaert
Benoit Bakeroot
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
2024
Modeling gate leakage current for p-GaN gate HEMTs with engineered doping profile
Mojtaba Alaei
Matteo Borga
Elena Fabris
Stefaan Decoutere
Johan Lauwaert
Benoit Bakeroot
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
2024
2023
Substrate network modeling for lateral p-GaN gate HEMTs in a 200V GAN-IC platform
Mojtaba Alaei
Herbert De Pauw
Urmimala Chatterjee
Stefaan Decoutere
Johan Lauwaert
Benoit Bakeroot
C1
Conferentie
2023
2020
Modeling of short-channel effects in GaN HEMTs
Mojtaba Alaei
Majid Shalchian
Farzan Jazaeri
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
2020