Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Mark D'Hondt
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
33
Resultaten
2001
5.2% efficiency InAlGaP microcavity LEDs at 640nm on Ge substrates.
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
P MIJLEMANS
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTRONICS LETTERS
2001
High-efficiency 650 nm thin-film light-emitting diodes.
C ROOMAN
R WINDISCH
Mark D'Hondt
Prasanta Modak
Ingrid Moerman
P MIJLEMANS
B DUTTA
G BORGHS
Roger Vounckx
Maarten Kuijk
et al.
P1
Conferentie
2001
High-efficiency thin-film light-emitting diodes at 650 nm.
C ROOMAN
R WINDISCH
Mark D'Hondt
B DUTTA
Prasanta Modak
P MIJLEMANS
G BORGHS
Roger Vounckx
Ingrid Moerman
Maarten Kuijk
et al.
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTRONICS LETTERS
2001
InAlGaP materials and red emitting LEDs on GaAs and Ge substrates
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
P MIJLEMANS
Piet Demeester
C1
Conferentie
2001
MOVPE based Zn diffusion into InP and InAsP/InP hetero structures.
Koen Vanhollebeke
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
2001
Zn doping of InP, InAsP/InP, and InAsP/InGaAs heterostructures through metalorganic vapor phase diffusion (MOVPD).
Koen Vanhollebeke
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
2001
2000
(Al)GaInP multiquantum well LEDs on GaAs and Ge.
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
P MIJLEMANS
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
2000
4mW micro cavity LED at 650nm on germanium substrates.
Mark D'Hondt
Prasanta Modak
Danaë Delbeke
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Roel Baets
Piet Demeester
Paul Mijlemans
P1
Conferentie
2000
AlGaInP microcavity light-emitting diodes at 650 nm on Ge substrates.
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Danaë Delbeke
Ingrid Moerman
Roel Baets
Peter Van Daele
Piet Demeester
P MIJLEMANS
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
2000
Development of InAlGaP-materials on Ge-substrates for red light emitters, using a safe MOVPE-process
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
C3
Conferentie
2000
High efficiency InAlGaP microcavity LEDs on Ge-substrates
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Danaë Delbeke
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Roel Baets
Piet Demeester
P MIJLEMANS
C1
Conferentie
2000
InAlGaP microcavity LEDs on Ge-substrates
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Danaë Delbeke
P Mijlemans
Ingrid Moerman
Roel Baets
Peter Van Daele
Piet Demeester
C1
Conferentie
2000
1999
(Al)GaInP multiquantum well LEDs on Ge and GaAs.
Prasanta Modak
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
Koen Vanhollebeke
P MIJLEMANS
C1
Conferentie
1999
High quality AlGaInP layers on GaAs and Ge grown by MOVPE.
Prasanta Modak
Joff Derluyn
Mark D'Hondt
P MIJLEMANS
Ingrid Moerman
Piet Demeester
C1
Conferentie
1999
1998
Dark current optimisation for MOVPE grown 2.51 mu m wavelength InGaAs photodetectors.
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTRONICS LETTERS
1998
Dark current optimisation of 2.5 µm wavelength, 2% mismatched InGaAs photodetectors on InP
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Piet Demeester
P1
Conferentie
1998
Germanium - The all-purpose substrate of the future?
Mark D'Hondt
P MIJLEMANS
Ingrid Moerman
Piet Demeester
A2
Artikel in een tijdschrift
in
Compound Semiconductor Summer II
1998
Germanium as a growth substrate for high quality AlGaAs/InGaAs laser diodes.
Mark D'Hondt
Joff Derluyn
Ingrid Moerman
Steven Verstuyft
Peter Van Daele
Piet Demeester
P MIJLEMANS
C1
Conferentie
1998
High quality InGaAs/AlGaAs lasers grown on Ge substrates.
Mark D'Hondt
Zong-Qiang Yu
Bart Depreter
Carl Sys
Ingrid Moerman
Piet Demeester
P MIJLEMANS
C1
Conferentie
1998
High quality InGaAs/AlGaAs lasers grown on Ge substrates.
Mark D'Hondt
Zong-Qiang Yu
Bart Depreter
Carl Sys
Ingrid Moerman
Piet Demeester
P MIJLEMANS
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
1998
Ontwikkeling van MOVPE-gebaseerde InGaAs/InP fotodetectoren en laserdioden voor golflengten > 1.65µm
Mark D'Hondt
Piet Demeester
Ingrid Moerman
Proefschrift
1998
1997
Characterisation of 2% mismatched InGaAs and InAsP layers, grown on different buffer layers and at different growth.
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
1997
Influence of buffer layer and processing on the dark current of 2.5 mu m-wavelength 2%-mismatched InGaAs photodetectors.
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEE PROCEEDINGS-OPTOELECTRONICS
1997
Low dark current, mismatched InO.82GaO.18As/InAsyPl-y photodetectors for 2.5um wavelength, grown on InP by MOVPE.
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Peter Van Daele
Piet Demeester
C1
Conferentie
1997
Study and development of extended wavelength InGaAs detectors
Ingrid Moerman
Mark D'Hondt
C1
Conferentie
1997
1996
Characterisation of 2 mismatched InGaAs layers, grown on different buffer- layers and at different growth temperatures
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Piet Demeester
C1
Conferentie
1996
Dark current reduction for 2.5 µm wavelength, 2% mismatched InGaAs photodetectors, by changing bufferlayer structure and growth temperature
Mark D'Hondt
Ingrid Moerman
Piet Demeester
P1
Conferentie
1996
1995
InGaAsP/InP strained MQW laser with integrated mode size converter using the shadow masked growth technique
Ingrid Moerman
W Vanderbauwhede
Mark D'Hondt
Peter Van Daele
Piet Demeester
P1
Conferentie
1995
Monolithic integration of a mode size converter with a laser diode using MOVPE shadow masked growth
Ingrid Moerman
Mark D'Hondt
Peter Van Daele
Piet Demeester
W Hunziker
P1
Conferentie
1995
1994
III-V SEMICONDUCTOR WAVE-GUIDING DEVICES USING ADIABATIC TAPERS.
Ingrid Moerman
Gerrit Vermeire
Mark D'Hondt
W VANDERBAUWHEDE
Johan Blondelle
Geert Coudenys
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROELECTRONICS JOURNAL
1994
Monolithic integration of a spot size transformer with a planar buried heterostructure in GaAsP/InP-laser using the shadow masked growth technique.
Ingrid Moerman
Mark D'Hondt
W VANDERBAUWHEDE
Geert Coudenys
Jan Haes
Peter De Dobbelaere
Roel Baets
Peter Van Daele
Piet Demeester
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
1994
Vertically tapered InGaAsP/InP waveguides and lasers resulting in low-loss fibre-chip coupling.
Ingrid Moerman
Mark D'Hondt
W VANDERBAUWHEDE
Jan Haes
Luc Vanwassenhove
Peter De Dobbelaere
Roel Baets
Peter Van Daele
Piet Demeester
C1
Conferentie
1994
1993
Epitaxial lift-off of GaAs LEDs to coated silicon.
Mark D'Hondt
Catherine Brys
Ivan Pollentier
Peter De Dobbelaere
Steven Verstuyft
Peter Van Daele
Piet Demeester
C1
Conferentie
1993