Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Felix Cardon
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
130
Resultaten
2002
A BEEM study on the effects of the annealing temperature on barrier height inhomogeneity of CoSi2/Si contact formed in Co-Ti-Si systems.
SY ZHU
XP QU
GP RU
BZ LI
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A2
Artikel in een tijdschrift
in
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002
Double threshold behaviour of I-V characteristics of CoSi2/Si Schottky contacts.
SY ZHU
GP RU
XP QU
BZ LI
Roland Vanmeirhaeghe
Christophe Detavernier
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
CHINESE PHYSICS
2002
Silicide formation for Ni and Pd bilayers on Si (100) substrates
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
C1
Conferentie
2002
Sillicide formation for Ni and Pd bilayers on Si(100) substrates
XP QU
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
C1
Conferentie
2002
Surface and interface morphology of CoSi2 films formed by multilayer solid-state reaction.
GP RU
BZ LI
GB JIANG
XP QU
Jun Liu
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS CHARACTERIZATION
2002
2001
CoSi2 formation through SiO2
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
THIN SOLID FILMS
2001
CoSi2 nucleation in the presence of Ge.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
THIN SOLID FILMS
2001
Electrical characterization of Ar-ion-bombardment-induced damage in Au/Si and PtSi/Si Schottky barrier contacts.
SY ZHU
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Anja Blondeel
Paul Clauws
GP RU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2001
Formation of epitaxial CoSi2 by a Cr or Mo interlayer: Comparison with a Ti interlayer.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
H BENDER
B BRIJS
W VANDERVORST
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2001
Optical and structural characterisation of post deposition annealed electroluminescent blue emitting thin film phosphors
Davy Wauters
Felix Cardon
Roland Vanmeirhaeghe
Proefschrift
2001
Orientation-dependent stress build-up during the formation of epitaxial CoSi2.
A STEEGEN
Christophe Detavernier
Albert Lauwers
K MAEX
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROELECTRONIC ENGINEERING
2001
Studie van de invloed van technologisch belangrijke productieprocesstappen op de elektrische eigenschappen van p-InP en n-InxGa1-xAs met behulp van schottkybarrières
Lieve Goubert
Felix Cardon
Roland Vanmeirhaeghe
Proefschrift
2001
2000
A BEEM study of Schottky barrier height distributions of ultrathin CoSi2/n-Si(100) formed by solid phase epitaxy.
SY ZHU
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
XP QU
GP RU
Felix Cardon
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2000
A photoluminescence study of CaS: Pb thin films.
Jorg Versluys
Dirk Poelman
Davy Wauters
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
C1
Conferentie
2000
Ballistic electron emission microscopy studies of the temperature dependence of Schottky barrier height distribution in CoSi2/n-Si(1 0 0) diodes formed by solid phase reaction
Shiyang Zhu
Xin-Ping Qu
Roland Vanmeirhaeghe
Christophe Detavernier
Guo-Ping Ru
Felix Cardon
Bing-Zong Li
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2000
Barrier height inhomogeneities of epitaxial CoSi2 Schottky contacts on n-Si (100) and (111).
SY ZHU
Roland Vanmeirhaeghe
Christophe Detavernier
Felix Cardon
GP RU
XP QU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2000
CoSi2 formation in the Ti/Co/SiO2/Si system
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
H BENDER
SY ZHU
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2000
Determination of capture cross sections and trap depths of dominant centres in AgCl microcrystals doped with [Ru(CN)(6)](4-) complexes.
Jian Hua
Freddy Callens
Felix Cardon
D VANDENBROUCKE
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
2000
Electrical characteristics of CoSi2/n-Si(100) Schottky barrier contacts formed by solid state reaction.
SY ZHU
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
GP RU
XP QU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
2000
Emission color of Cu and Ag doped ACTFEL devices: a microscopic study.
Davy Wauters
Dirk Poelman
R VANMEIRHAEGHE
Felix Cardon
C1
Conferentie
2000
Influence of Ti on CoSi2 nucleation.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
W VANDERVORST
B BRIJS
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
2000
Influence of mixing entropy on the nucleation of CoSi2.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICAL REVIEW B-CONDENSED MATTER
2000
Ion-bombardment effects on PtSi/n-Si Schottky contacts studied by ballistic electron emission microscopy.
GP RU
XP QU
SY ZHU
BZ LI
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
RA DONATON
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
2000
Nondestructive characterization of thin silicides using x-ray reflectivity.
Christophe Detavernier
Roger De Gryse
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
GP RU
XP QU
BZ LI
RA DONATON
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
2000
Optical characterisation of SrS: Cu and SrS: Cu,Ag EL devices.
Davy Wauters
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF LUMINESCENCE
2000
Photoluminescence of SrS: Cu, Ag thin films: influence of substrate and annealing conditions.
Dirk Poelman
Davy Wauters
Jorg Versluys
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
C1
Conferentie
2000
Photoluminescence of SrS: Cu,Ag and SrS1-xSex: Cu,Ag thin films.
Dirk Poelman
Davy Wauters
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID STATE COMMUNICATIONS
2000
Photoluminescent, electroluminescent and structural properties of CaS: Cu and CaS: Cu, Ag thin films.
Davy Wauters
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
2000
Shallow electron traps induced by [Ru(CN)(6)](4-) in AgCl microcrystals: a computer simulation study of transient microwave photoconductivity.
Jian Hua
Freddy Callens
Felix Cardon
Hans De Meyer
D VANDENBROUCKE
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
2000
Studie van de invloed van productieprocesstappen op de elektrische eigenschappen van metaal/n-GaAs en metaal/n-AlxGa1-x schottkycontacten
Greet Vanalme
Felix Cardon
Roland Vanmeirhaeghe
Proefschrift
2000
The influence of Ti cappings layes on CoSi2 formation.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
RA DONATON
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROELECTRONIC ENGINEERING
2000
The influence of mixing entropy on the nucleationof CoSi2.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
A2
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICAL REVIEW B
2000
1999
A BEEM study of PtSi Schottky contacts on ion-milled Si
GP RU
Christophe Detavernier
RA DONATON
Anja Blondeel
Paul Clauws
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
XP QU
SY ZHU
et al.
P1
Conferentie
1999
A BEEM study of the temperature dependence of the barrier height distribution in PtSi/n-Si Schottky diodes.
S ZHU
Roland Vanmeirhaeghe
Christophe Detavernier
GP RU
BZ LI
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID STATE COMMUNICATIONS
1999
A ballistic electron emission microscopy study of barrier height inhomogeneities introduced in Au/III-V semiconductor Schottky barrier contacts by chemical pretreatments.
Greet Vanalme
Lieve Goubert
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Peter Van Daele
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1999
BEEM studies of the PtSi/Si(100) interface electronic structure.
T VDOVENKOVA
V STRIKHA
Felix Cardon
Roland Vanmeirhaeghe
Greet Vanalme
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA
1999
CoSi2 formation in the presence of interfacial silicon oxide.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
RA DONATON
K MAEX
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
1999
Effects of rapid thermal annealing on electron beam evaporated SrS: Ce thin film electroluminescent devices made in H2S ambient.
Davy Wauters
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
1999
Formation and characterization of SPE grown ultra-thin cobalt disilicide film
XP QU
GP RU
BZ LI
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
P1
Conferentie
1999
Formation and characterization of spe grown ultra-thin cobalt disilicide film.
GP RU
LI BING-ZONG
Christophe Detavernier
R VANMEIRHAEGHE
Felix Cardon
C1
Conferentie
1999
Intrinsic optical and structural properties of SrS thin films.
Dirk Poelman
Davy Wauters
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
THIN SOLID FILMS
1999
Optical time resolved spectroscopy of SrS: Cu, Ag ACTFEL devices
Davy Wauters
Dirk Poelman
R VANMEIRHAEGHE
Felix Cardon
C1
Conferentie
1999
Photoluminescence study of SrS: Cu, Ag and SrS1-xSex: Cu, Ag thin films
Dirk Poelman
Davy Wauters
R VANMEIRHAEGHE
Felix Cardon
C1
Conferentie
1999
The influence of Ti capping layers on CoSi/sub 2/ formation in the presence of interfacial oxide
Christophe Detavernier
R.A. DONATON
K. MAEX
S. JIN
H. BENDER
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
C1
Conferentie
1999
The influence of Ti capping layers on CoSi2 formation in tee presence of interfacial oxide
Christophe Detavernier
R DONATON
K MAEX
S JIN
H BENDER
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
P1
Conferentie
1999
Thermally enhanced quantum efficiency in hydrogenated amorphous silicon p-i-n photodiodes studied by intensity-modulated photocurrent spectroscopy.
D VANMAEKELBERGH
J VAN DE LAGEMAAT
REI SCHROPP
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
1999
Transient photoconductivity study of shallow electron traps in [Ru(CN)(6)](4-) doped AgCl microcrystals: effects of doping concentration and position.
Jian Hua
Freddy Callens
Felix Cardon
D VANDENBROUCKE
A1
Artikel in een tijdschrift
in
IMAGING SCIENCE JOURNAL
1999
1998
A ballistic electron-emission microscopy (BEEM)-investigation of the effects of chemical pretreatments on III-V semiconductor Schottky barriers.
Roland Vanmeirhaeghe
Greet Vanalme
Lieve Goubert
Felix Cardon
Peter Van Daele
C1
Conferentie
1998
An atomic force microscopy study of thin CoSi2 films formed by solid state reaction
GP RU
J LIU
XP QU
BZ LI
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
P1
Conferentie
1998
Ballistic electron emission microscopy study of barrier height inhomogeneities introduced in Au/n-Si Schottky contacts by a HF pretreatment.
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
R DONATON
K MAEX
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1998
Non-destructive characterization of thin silicides using X-ray reflectivity
Christophe Detavernier
R DEGRYSE
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
GP RU
BZ LI
P1
Conferentie
1998
1997
A ballistic electron emission microscopy (BEEM) study of the barrier height change of Au/n-GaAs Schottky barriers due to reactive ion etching.
Greet Vanalme
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Peter Van Daele
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1997
A ballistic electron emission microscopy (BEEM)-investigation of the effects of reactive ion etching (RIE) and of chemical pretreatment on III-V semiconductors.
Roland Vanmeirhaeghe
GM VANALME
Lieve Goubert
Felix Cardon
Peter Van Daele
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
1997
A study of electrically active defects created in p-InP by CH4:H-2 reactive ion etching.
Lieve Goubert
Roland Vanmeirhaeghe
Paul Clauws
Felix Cardon
Peter Van Daele
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1997
Influence of the growth conditions on the properties of CaS:Eu electroluminescent thin films.
Dirk Poelman
Rita Vercaemst
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF LUMINESCENCE
1997
Possibilities and limitations of blue electroluminescence in CaS:Pb2+ thin films.
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
BA VERMEERSCH
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1997
1996
Electrochemical reduction vs, vapour deposition for n-GaAs/Cu Schottky-barrier formation : a comparative study
Philippe Vereecken
GM VANALME
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF THE CHEMICAL SOCIETY-FARADAY TRANSACTIONS
1996
Quantitative prediction of acceptor concentration reduction in boron doped silicon due to electron irradiation
JL Everaert
Frans Verhaegen
Roland Vanmeirhaeghe
Jozef Uyttenhove
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
1996
The occurrence of multiple dielectric-loss curves for silver halide emulsions: difficulties of interpretation
Freddy Callens
D VANDENBROUCKE
Leen Soens
Felix Cardon
A2
Artikel in een tijdschrift
in
Journal Appl. Phys. 77(11), pp. 5869-5821 (1995), figg. 12
1996
Transient microwave photoconductivity and computer simulation study of and Rh^+ doped Agi Microcrystals
Marinus Van Den Eeden
Freddy Callens
Felix Cardon
D VANDENBROUCKE
R DE KEYZER
A2
Artikel in een tijdschrift
in
J. Imag; Sei. Technol. 39 (5), pp. 393-402 (1995)
1996
1995
A BALLISTIC-ELECTRON-EMISSION MICROSCOPY (BEEM) STUDY OF THE BARRIER HEIGHT CHANGE OF AU/N-GAAS SCHOTTKY CONTACTS DUE TO MECHANICAL POLISHING.
JL EVERAERT
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1995
A DETAILED XPS STUDY OF THE RARE-EARTH COMPOUNDS EUS AND EUF3.
R VERCAEMST
Dirk Poelman
Lucien Fiermans
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA
1995
A method for evaluating the frequence characteristics of ac thin film electroluminescent devices.
ZX WANG
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1995
AN XPS STUDY OF THE DOPANTS VALENCE STATES AND THE COMPOSITION OF CAS1-XSEXEU AND SRS1-XSEXCE THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES.
Rita Vercaemst
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Lucien Fiermans
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF LUMINESCENCE
1995
An XPS study of the effects of semiconductor processing treatments used to make InP optoelectronic devices.
Roland Vanmeirhaeghe
Lieve Goubert
Lucien Fiermans
Willy Laflere
Felix Cardon
Peter De Dobbelaere
Peter Van Daele
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS
1995
Electrical-transport in (100)CoSi2/Si contacts.
Albert Lauwers
KK LARSEN
M VANHOVE
Ronald Verbeeck
K MAEX
M VANROSSUM
An Vercaemst
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1995
Hydrogen passivation caused by 'soft' sputter etch cleaning of Si.
AS VERCAEMST
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1995
OCCURRENCE OF MULTIPLE DIELECTRIC-LOSS CURVES FOR SILVER-HALIDE EMULSIONS - DIFFICULTIES OF INTERPRETATION.
Freddy Callens
D VANDENBROUCKE
L SOENS
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1995
Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag
Michel Depas
Felix Cardon
Proefschrift
1995
Studie van rode elektroluminescentie op basis van europium gedoteerde CaS dunne filmen
Rita Vercaemst
Felix Cardon
Proefschrift
1995
THE INFLUENCE OF SE-COEVAPORATION ON THE EMISSION-SPECTRA OF CAS-EU AND SRS-CE THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES.
Dirk Poelman
Rita Vercaemst
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF LUMINESCENCE
1995
TRANSIENT MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY AND COMPUTER-SIMULATION STUDY OF IR3+-DOPED AND RH3+-DOPED AGCL MICROCRYSTALS.
M VANDENEEDEN
Freddy Callens
Felix Cardon
D VANDENBROUCKE
R DEKEYZER
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF IMAGING SCIENCE AND TECHNOLOGY
1995
1994
COMPUTER-SIMULATION OF TRANSIENT MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY IN SILVER-HALIDE MICROCRYSTALS.
M VANDENEEDEN
Freddy Callens
A DEROOSE
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF IMAGING SCIENCE AND TECHNOLOGY
1994
Electrical characteristics of Al/Si02/n-Si tunnel-diodes with an oxide layer grown by rapid thermal-oxidation.
Michel Depas
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1994
Elektroluminescentie in dunne-filmstructuren op basis van SrS, gedoteerd met Ce
Dirk Poelman
Felix Cardon
Proefschrift
1994
Influence of defect passivation by hydrogen on the Schottky-barrier height of GaAs and InP contracts.
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1994
Thin film electroluminescence in SrS:Ce: the quest for blue light
Dirk Poelman
Rita Vercaemst
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A4
Artikel in een tijdschrift
in
BELVAC NEWS
1994
XPS study of TbF3 and TbOF centres in ZnS.
J Van Den Bossche
Kristiaan Neyts
Patrick De Visschere
Dorina Corlatan
Herman Pauwels
Rita Vercaemst
Lucien Fiermans
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
et al.
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
1994
1993
DETERMINATION OF THE CONCENTRATION OF INTERSTITIAL SILVER IONS IN SILVER-HALIDE EMULSION GRAINS BY MEANS OF DIELECTRIC-LOSS MEASUREMENTS - DIFFICULTIES OF INTERPRETATION.
Freddy Callens
D VANDENBROUCKE
Leen Soens
M VANDENEEDEN
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHOTOGRAPHIC SCIENCE
1993
EFFECT OF MOISTURE ON PERFORMANCE OF SRS-CE THIN-FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICES.
Dirk Poelman
Rita Vercaemst
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
1993
ON THE INFLUENCE OF SPUTTER ETCH CLEANING ON THE SILICIDATION, THE THERMAL-STABILITY AND THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF TI/P-SI CONTACTS.
AS VERCAEMST
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
W DEBOSSCHER
RJ SCHREUTELKAMP
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1993
ON THE RELATIONSHIP BETWEEN INTERFACIAL DEFECTS AND SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT IN AG, AU, AND AL/N-GAAS CONTACTS.
R VANDEWALLE
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1993
RECOMBINATION IN SEMICONDUCTOR ELECTRODES - INVESTIGATION BY THE ELECTRICAL AND OPTOELECTRICAL IMPEDANCE METHOD.
D VANMAEKELBERGH
AR DEWIT
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1993
TUNNEL OXIDES GROWN BY RAPID THERMAL-OXIDATION.
Michel Depas
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MICROELECTRONIC ENGINEERING
1993
1992
A QUANTITATIVE-ANALYSIS OF CAPACITANCE PEAKS IN THE IMPEDANCE OF AL/SIOX/P-SI TUNNEL-DIODES.
Michel Depas
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1992
On the role of defects in some compound semiconductor (GaAs, InP, CdTe) Schottky Barriers
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
C1
Conferentie
1992
RECOMBINATION IN SEMICONDUCTOR ELECTRODES - INVESTIGATION BY THE ELECTRICAL-IMPEDANCE METHOD.
D VANMAEKELBERGH
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTROCHIMICA ACTA
1992
Spectral shifts in thin film electroluminescent devices: an interference effect.
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1992
THE INFLUENCE OF SE COEVAPORATION ON THE ELECTROLUMINESCENT PROPERTIES OF SRSCE THIN-FILMS.
Dirk Poelman
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF LUMINESCENCE
1992
1991
A STUDY OF SPUTTER-INDUCED DEFECTS IN MAGNETRON-SPUTTERED COSI2 AND TISI2 SCHOTTKY BARRIERS ON NORMAL-TYPE AND PARA-TYPE GAP
E KABUSHEMEYE
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
1991
AN INVESTIGATION ON THE INFLUENCE OF SI SURFACE PRETREATMENT ON THE FREQUENCY-DEPENDENCE OF THE IMPEDANCE OF CO N-SI SCHOTTKY BARRIERS
AL DELAERE
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1991
ON THE RELATIONSHIP BETWEEN THE SURFACE-COMPOSITION OF THE SUBSTRATE AND THE SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT IN AU/N-CDTE CONTACTS
Roland Vanmeirhaeghe
R VANDEWALLE
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1991
On the relationship between the surface composition of the substrate and the Schottky-barrier height in Au/n-CdTe contacts
Roland Vanmeirhaeghe
Ronald Van De Walle
Willy Laflere
Felix Cardon
A2
Artikel in een tijdschrift
in
Journal Appl. Phys., 70, nr. 4, pp. 2200-2203
1991
TITANIUM SILICIDE/P-SI SCHOTTKY BARRIERS FORMED BY RAPID THERMAL-PROCESSING IN NITROGEN
W DEBOSSCHER
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1991
Titanium silicide p-Si Schottky barriers formed by rapid thermal processing in nitrogen
W DE BOSSCHER
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A2
Artikel in een tijdschrift
in
Soc. St. Electron, 34(8), pp. 827-834, 11 figg
1991
Étude du comportement électrique et photovoltaique du contact Schottky fait sur le phosphure de gallium
Ernest Kabushemeye
Felix Cardon
Proefschrift
1991
1990
On the electrical properties, the interfacial reactivity and the thermal stability of CoSi₂/-, TiSi₂/-, Co/- and Ti/p-InP Schottky barriers
LMO Van den Berghe
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1990
1988
A study of the electrical and interfacial properties of sputtered Ti/Si and sputtered TiSi₂/Si Schottky barriers
W De Bosscher
Roland Vanmeirhaeghe
A De Laere
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1988
A study of the electrical and photovoltaic properties of magnetron sputtered Ti/p-InP Schottky barriers
Roland Vanmeirhaeghe
LMO Van den Berghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1988
Electrical and photovoltaic properties of metal/p-InP Schottky barriers
Yiping Song
Felix Cardon
Proefschrift
1988
The growth of thin oxide layers on GaAs in methanol
Hilde Barbé
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1988
Transient fotogeleiding in zilverhalogenide mikrokristallen
Guy Vekeman
Felix Cardon
Proefschrift
1988
1987
On the influence of the thin interfacial oxide layer on the electrical and photovoltaic properties of Au/oxide/p-InP diodes
Yiping Song
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1987
Sputter-induced damage in Al/n-GaAs and Al/p-GaAs Schottky barriers
DA Vandenbroucke
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
1987
1986
Defects introduced in InP by mechanical polishing and studied by means of Au- and Al-p-InP Schottky barriers
LMO Van den Berghe
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1986
On the difference in apparent barrier height as obtained from capacitance-voltage and current-voltage-temperature measurements on Al/p-InP Schottky barriers
YP Song
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1986
Studie van de elektrische eigenschappen van Si MIS Schottky-Barriere structuren
Peter Hanselaer
Felix Cardon
Proefschrift
1986
The influence of a HF and an annealing treatment on the barrier height of p- and n-type Si MIS structures
PL Hanselaer
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
1986
1985
A quantitative expression for partial Fermi level pinning at semiconductor/redox electrolyte interfaces
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY
1985
Characteristics of the RuO₂-n-GaAs Schottky barrier
DA Vandenbroucke
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1985
1984
Current-voltage characteristic of Ti-pSi metal-oxide-semiconductor diodes
PL Hanselaer
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1984
1983
On interfacial charges in the oxide layer of mis-type Ag- and Au-n GaAs Schottky barriers
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1983
1982
An experimental study of Ti-pSi MIS type Schottky barriers
PL Hanselaer
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1982
Electron trapping in the oxide layer of MIS-type Al-, Au-, Ag- and Sn-n-type GaAs Schottky barriers
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1982
Investigation on photoelectrochemical cells based upon silicon/methanol interfaces, part 1 : n-type Si
Philip Brondeel
Marc Madou
Walter Gomes
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLAR ENERGY MATERIALS
1982
Investigation on photoelectrochemical cells based upon silicon/methanol interfaces, part 2 : p-type Si
Marc Madou
Philip Brondeel
Walter Gomes
P Hanselaer
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLAR ENERGY MATERIALS
1982
Study of electron traps in the thin interfacial oxide layer of Al-, Au- and Sn-n GaAs Schottky barriers by detrapping experiments
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SOLID-STATE ELECTRONICS
1982
1981
Investigation of interface states in MIS-type Al-, Au- and Sn-GaAs Schottky barriers with a thin interfacial oxide layer
Roland Vanmeirhaeghe
Willy Laflere
Yu-Min Li
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1981
1980
Effects of thin oxide layers on the characteristics of GaAs MIS solar cells
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
1980
Experimentele studie van GaAs/metaal en GaAs/Elektrolyt Schottky-barrières onder belichting
Roland L Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Willy Dekeyser
Proefschrift
1980
Investigation of the C-V behaviour of GaAs-metal and GaAs-electrolyte contacts under forward bias
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
1980
1979
Influence of the surface pretreatment on the photocurrent-voltage characteristics and the spectral response of the N-GaAs-electrolyte interface
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
BERICHTE DER BUNSEN-GESELLSCHAFT-PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS
1979
Photocurrent oscillations at the n-GaAs/electrolyte interface
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTROCHIMICA ACTA
1979
1978
On the frequency and voltage dependence of the impedance of n- and p-type GaAs/metal Schottky barriers
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SURFACE SCIENCE
1978
Some Electrochemical Processes at the n- and p-InP Electrodes
Alfons Vervaet
Walter Gomes
Felix Cardon
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY
1978
1976
On the application of the Kramers-Kronig relations to problems concerning the frequency dependence of electrode impedance
Roland Vanmeirhaeghe
EC Dutoit
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTROCHIMICA ACTA
1976
On the frequency-dependence of the impedance of n- and p-type gallium arsenide electrodes
Willy Laflere
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SURFACE SCIENCE
1976
1975
Investigation on frequency-dependence of impedance of nearly ideally polarizable semiconductor electrodes CDSE, CDS and TIO₂
EC Dutoit
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
BERICHTE DER BUNSEN-GESELLSCHAFT-PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS
1975
On the application of the Kramers-Kronig relations to problems concerning the frequency dependence of electrode impedance
Roland Vanmeirhaeghe
EC Dutoit
Felix Cardon
Walter Gomes
A1
Artikel in een tijdschrift
in
ELECTROCHIMICA ACTA
1975
Hydrogen passivation caused by 'soft' sputter etch cleaning of Si. Materials Research Society, Sympos. Proceedings, 1994, nr. 337, pp. 657-662, 4 figg.
AS VERCAEMST
Roland L Van Meirhaeghe
Willy Laflere
Felix Cardon
C1
Conferentie