Fotonisch geïntegreerde circuits op basis van Si maken miniaturisatie en massaproductie mogelijk van optische systemen die CMOS technologie gebruiken. De recente demonstratie van een geïntegreerde III-V laser, volledig gefabriceerd in een CMOS pilootlijn, onderstreept het enorme potentieel als kost-effectieve integratie-methode door het III-V materiaal rechtstreeks op 300 mm Si substraten te deponeren middels nano-ridge engineering. Het uitmeten van componenten op waferschaal versterkt de mogelijkheden van dit unieke concept. De emissiegolflengte van het laserwinstmedium is momenteel beperkt tot 1025 nm. Om de lage transmissieverliezen van Si/SiO2 golfgeleiders in de fotonische circuits optimaal te benutten moet een golflengte van 1300 nm bereikt worden. Dit project pakt deze uitdaging aan door nieuwe materialen op basis van GaAs te onderzoeken. Ze zullen het huidige winstmedium vervangen waarbij de integratiemodules van de eerste technologiedemonstratie op 300 mm Si kunnen blijven gebruikt worden. Het onderzoeks-consortium zal de groei van verscheidene winstmaterialen eerst in een labomgeving uitvoeren om snelle vooruitgang en terugkoppeling te verzekeren. Op basis van structurele en optische karakterisatie zal het meest beloftevolle materiaal dan in de CMOS-pilootlijn gebruikt worden voor depositie en volledige fabricage van een component op 300 mm Si substraten. Zo is de CMOS-compatibele III-V laser klaar voor integratie in een Si fotonisch platform.