Project

ICP-CVD systeem voor de depositie van diëlektrische lagen van hoge kwaliteit op lage temperatuur

Code
F2021/IOF-Equip/035
Looptijd
01-04-2021 → 31-03-2024
Financiering
Gewestelijke en gemeenschapsmiddelen: Industrieel Onderzoeksfonds
Onderzoeksdisciplines
  • Natural sciences
    • Photonics, optoelectronics and optical communications
  • Engineering and technology
    • Nanofabrication, growth and self assembly
    • Nanomanufacturing
Trefwoorden
plasmaprocessing Micro- en nanofrabricage fotonische geïntegreerde circuits
 
Projectomschrijving

Het doel van dit project is het verwerven van een ICP-CVD toestel voor de depositie van diëlektrische lagen zoals silicium oxide en silicium nitride. Gebruikmakend van dit toestel zullen we vervolgens zowel golfgeleiders met ultra-lage verliezen realizeren als microlasers gebaseerd op hybride stacks van colloidale quantum dots en dielectrische mantellagen. Het feit dat de ICP-CVD techniek toelaat deze mantellagen te deponeren bij veel lagere temperaturen dan klassieke depositietechnieken is daarbij essentieel gezien de gevoeligheid van de quantum dots voor externe invloeden. De golfgeleiders met ultralage verliezen zijn dan weer een essentiële bouwblok bij de realisatie van kamlasers en lasers met lage ruis, beide sterk in vraag voor applicaties in metrologie en spectroscopie.