Quantum-technologie belooft extreem computationeel vermogen en ongezien veilige data transmissie. Enkelvoudige fotonen zijn daarin een sleutel-element waardoor onderzoek naar de ontwikkeling van enkelvoudige foton bronnen (EFB) de laatste jaren veel aandacht krijgt binnen de wetenschappelijke gemeenschap. Bronnen gebaseerd op InAs quantum-dots (QD) gegroeid op GaAs substraten zijn op applicatieniveau de meest beloftevolle kandidaten. De emissie uit zulke bronnen is deterministisch en ze kunnen worden ingebed in nano-fotonische structuren om hun performantie nog te verbeteren. Bij bestaande EFB’s is de integratie van vele EFB’s met andere fotonische componenten een grote uitdaging. De belangrijkste oorzaak daarvan is de willekeurige positie van de QDs op het substraat en de hoge verliezen van GaAs golfgeleiders. In dit werk zullen we EFB’s ontwikkelen die gebaseerd zijn op InAs QDs gegroeid op GaAs nano-ridges (NRs), die epitaxiaal gegroeid zijn op 300mm Si substraten. Door het variëren van de groeicondities kunnen de vorm en dimensies van de nano-ridge worden aangepast. Hierdoor kan de positie van de QDs binnen de NR accuraat worden bepaald en verhoogt de efficiëntie. Bovendien kunnen zulke bronnen worden geïntegreerd met laag-verlies SiN golfgeleiders. De accurate controle van de positie van de QDs en integratie met SiN golfgeleiders zal toekomstige geïntegreerde fotonische quantum circuits mogelijk maken.