Telecommunicatie wordt gezien als de hoeksteen van de moderne samenleving aangezien het wereldwijd mensen en diensten met elkaar verbindt. Silicium fotonica is een drijvende kracht voor de groei van deze technologie aangezien het de gelijktijdige integratie van optische en elektrische componenten op één Si-platform mogelijk maakt en dus profiteert van de proceskennis van de op Si gebaseerde micro-elektronica-industrie. Hoewel de meerderheid van hedendaagse gebruikte golflengten zich in het telecomvenster (0,8 - 1,6 µm) bevindt, zou het vergroten van het bereik tot het short-wavelength infrared (SWIR) (1,5 - 3 µm) de weg vrijmaken voor nieuwe ontwikkelingen op het gebied van metingen en diagnostiek. Aangezien de absorptielijnen van veel (bio)moleculen in dit gebied worden versterkt, zou de combinatie van het SWIR met de economische voordelen van silicium fotonica een nieuwe generatie detectoren mogelijk maken. De monolithische integratie van lichtbronnen op Si, dat duidelijke voordelen biedt ten opzichte van heterogene integratiemethoden in miniaturisatie en productiekosten, blijft nog steeds een obstakel. Hier wordt het gebruik van Nano-ridge engineering voorgesteld, een innovatieve monolithische depositie methode die de integratie van III-V apparaten op Si substraten mogelijk maakt. Door gebruik te maken van de SWIR emissie van GaSb en zijn III-V legeringen, zullen optisch gepompte Nano-ridge lasers bestaande uit epitaxiaal gegroeide GaSb alliages worden gedemonstreerd.