De impact van verschillende processtappen tijdens de productie van verticale vermogentransistoren wordt onderzocht. De lekstromen in bepaalde structuren binnen deze transistoren worden onderzocht en gemodelleerd. De aandacht gaat vooral naar lekstromen en niet-ideaal gedrag veroorzaakt door dislocatielijnen in het materiaal en door defecten aan de oppervlakten van het materiaal met het poortoxide. De invloed van verschillende poortoxides op de voornaamste eigenschappen van deze transistoren wordt in kaart gebracht, met een speciale aandacht voor aluminiumoxinitride als diëlektricum.