Dit project heeft als doel een natuurkundig onderbouwd compact model te ontwikkelen voor GaN vermogen HEMTs. Het model is gericht op het nauwkeurig weergeven van het elektrische en thermische gedrag van GaN-componenten, waarbij kritieke effecten zoals gate-lekstroom, het effect van substraatlagen, en het doorslagmechanisme worden meegenomen. Een belangrijk doel is ervoor te zorgen dat het model het gedrag van de component kan voorspellen onder verschillende omstandigheden die relevant zijn voor vermogenselektronica. Om betrouwbaarheid te garanderen, is validatie van het model aan de hand van experimentele data essentieel.