Wetenschappelijke (r)evoluties in de nanowetenschappen resoneren uitzonderlijk goed met de maatschappelijke behoefte voor kleinere, snellere en efficiëntere opto-elektronica. Vanwege hun unieke, door grootte afstembare en quasi-atomaire energietoestanden nemen halfgeleidende quantum dots (QD's) een centrale rol in binnen deze revolutie. Decennia aan onderzoek heeft ertoe geleid dat QD’s gemaakt kunnen worden in oplossing, met exceptionele controle over hun grootte en vorm. De laatste jaren is er internationale interesse om hoogwaardige indiumfosfide (InP) QD's te produceren, aangezien InP een afstembare bandkloof over het hele zichtbare bereik combineert met intense optische transities. Om QD's geschikt te maken voor toepassingen, worden deze doorgaans geproduceerd als kern/schil heterostructuren. Voortbouwend op reeds bestaande kennis over epitaxiaal gegroeide quantum wells en eerdere generaties QD’s, voorzie ik dat er significante doorbraken kunnen worden gerealiseerd door het grensvlak in deze kern/schil QD's methodisch te controleren. Om dit te doen, zal ik innovatieve kern/schil heteronanogestructureerde QD's ontwerpen met structureel en elektronisch ontkoppelde grensvlakken. Enerzijds zullen deze dienen als een modelsysteem om algemene principes inzake grensvlakcontrole op nanoschaal te ontdekken. Tegelijkertijd zal mijn aanpak resulteren in op InP gebaseerde QD's met sterk verbeterde lineaire en niet-lineaire optische eigenschappen, zoals gewenst voor LEDs en lasers.