Het doel van dit doctoraatswerk is de studie van verticale en semi-verticale galliumnitride-halfgeleidercomponenten voor hoogspanningstoepassingen tot 1200 V.

Meer bepaald zal er aandacht besteed worden aan de verschillende spanningsregimes (aan-toestand versus af-toestand) m.b.v. een combinatie van elektrische metingen op componenten voorzien door imec en numerieke simulaties in technogie-CAD. Verder zal er ook aandacht besteed worden aan de betrouwbaarheidsaspecten van deze componenten.  Dit gebeurt aan de hand van speciefieke metingen zoals tijdsafhankelijke doorslag van het poortoxide, verschuiving van de drempelspanning o.i.v. temperatuur en poortspanning,  en capaciteitsmetingen. 

De bevindingen en observaties die gedaan worden in de loop van dit project worden dan teruggekoppeld naar de procestechnologie en waar mogelijk wordt deze dan aangepast ten einde de eigenschappen van de transistor te verbeteren.