Project

BILA Zuid-Afrika Phase formation and defect generation during metallization and ion implantation of GeSn semiconductors

Looptijd
01-12-2013 → 30-11-2016
Financiering
Fonds voor Wetenschappelijk Onderzoek - Vlaanderen (FWO)
Onderzoeksdisciplines
  • Natural sciences
    • Other biological sciences
Trefwoorden
GeSn semiconducteur
 
Projectomschrijving

Raman spectroscopie is een krachtige techniek om de samenstelling van de materialen te identificeren. In essentie tast het spectrum van de karakteristieke mechanische vibraties van moleculen door focusseren van een laserbundel op het materiaal en het detecteren van de optische frequentieverschuivingen veroorzaakt door de trillende moleculen. Het heeft vele toepassingen, variërend van de opsporing van namaak op de analyse van mineralen op Mars, van het toezicht op chemische processen om indringende processen in levende cellen. De belangrijkste uitdaging van Raman spectroscopie is dat het Raman signaal uiterst zwak en daarom is de apparatuur is omvangrijk en duur. Sinds 1970 en rsquo; s is bekend dat het signaal kan worden versterkt orden van grootte bij de trillende moleculen in dichte nabijheid van metalen nanostructuren, door een techniek genaamd Raman spectroscopie (SERS). Echter, de techniek levensvatbaar te maken is er behoefte aan een low cost benadering dat metalen nanostructuren produceert op een substraat met een nauwkeurigheid nanometer in een zeer reproduceerbare wijze. In dit project zullen we een geheel nieuwe laan die de belofte om Raman spectroscopie om te zetten in een techniek die in de low-cost, compacte apparaten kunnen worden opgenomen houdt verkennen. We zullen atomic layer deposition (ALD) om metalen nanostructuren van siliciumnitride golfgeleider chips verbonden met optische vezels te maken. Als proof-of-concept zullen we dit apparaat om de chemische processen in een ALD-reactor zelf wordt geboden, waardoor alle voordelen die de compactheid van de inrichting.