Onzuiverheden en intrinsieke defecten hebben een belangrijke invloed op de elektrische en optische eigenschappen van vaste stoffen. In dit project wordt de interactie van dergelijke defecten met vrije ladingsdragers onderzocht, die elektrisch of optisch worden geïnjecteerd, of die in de vaste stof gecreëerd worden door blootstelling aan ioniserende straling. Dit gebeurt met behulp van elektrische, optische en magnetische resonantie spectroscopie.

Vangst van vrije elektronen en gaten door defecten beperkt de levensduur en mobiliteit van vrije ladingsdragers in halfgeleiders. Een deel van het onderzoek richt zich dan ook op zonnecellen en materialen voor (power) elektronica. Stabiele vangst van elektronen of gaten door defecten in anorganische fosfors na blootstelling aan ioniserende straling, en de verandering in optische eigenschappen als gevolg hiervan, maken deze materialen geschikt voor stralingsdosimetrie, een tweede toepassingsgebied van dit onderzoek.