Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Project

Geavanceerde monolithische III-V op Si-fotodetectoren voor optische interconnecties van de volgende generatie

Informatie

Projectteam

Organisaties

Output en outcomes

Publicaties

III-V photodetectors monolithically integrated on silicon for interconnect applications

Cenk Ibrahim ÖzdemirDries Van ThourhoutJoris Van Campenhout

Proefschrift

2024

Leakage mechanisms of sub-pA InGaAs/GaAs nano-ridge waveguide photodetectors monolithically integrated on a 300-mm Si wafer

Cenk Ibrahim ÖzdemirYannick De KoninckSaroj Kanta PatraMarina BaryshnikovaBernardette KunertMarianna PantouvakiJoris Van CampenhoutDries Van Thourhout

A1 Artikel in een tijdschrift in JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS

2024