Phase Change Memory (PCM) is een sleuteltechnologie voor niet-vluchtige elektrische gegevensopslag op nanometer schaal. Het biedt de mogelijkheid om de ruimte tussen opslag- en werkgeheugen te overbruggen en om niet-Von Neumann architecturen te implementeren. PCM is gebaseerd op het hoge contrast in weerstand tussen de kristallijne en amorfe toestand van een phase change materiaal. Tot nog toe werden PCM componenten gemaakt uit één enkele laag van dit materiaal, maar in een recente paper stellen Ding et al. [Science 366, 210 (2019)] een alternatieve strategie voor, gebaseerd op nanolaminaire heterostructuren waar dunne lagen phase change materiaal worden doorweven met een thermisch isolerend materiaal. De faseovergang is een thermisch proces, dus het controleren van warmtegeleiding op de nanometerschaal is cruciaal voor het verbeteren van de energie-efficiëntie en de prestaties van een cel. Tijdens dit FWO-SB project beoog ik het aanbod aan materialen uit te breiden dat gebruikt kan worden voor zulke heterostructuren en te onderzoeken hoe de keuze van de materialen en de eigenschappen van individuele lagen een effect zullen hebben op de thermische stabiliteit, thermische geleiding en het switching mechanisme. Om dit doel te bereiken zal ik combinatoriële sputterdepositie combineren met uitgebreide structurele, thermische en elektrische karakterisatie, startend bij enkele lagen, dan bilagen, om uiteindelijk volledige heterostructuren te onderzoeken.