Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Project

YESvGAN: verticale GaN op Silicium: grote verboden zone vermogen aan de kost van silicium

Informatie

Projectteam

Organisaties

Output en outcomes

Publicaties

Optimization of non-alloyed backside ohmic contacts to N-face GaN for fully vertical GaN-on-silicon-based power devices

Youssef HamdaouiSofie VandenbrouckeSondre MichlerKatir ZioucheMatthias MinjauwChristophe DetavernierFarid Medjdoub

A1 Artikel in een tijdschrift in MICROMACHINES

2024

Investigation of atomic layer deposition methods of Al2O3 on n-GaN

Liad TadmorSofie VandenbrouckeEldad Bahat TreidelEnrico BrusaterraPaul PlateNicole VolkmerFrank BrunnerChristophe DetavernierJoachim WurflOliver Hilt

A1 Artikel in een tijdschrift in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

2024

In vacuo XPS study of Al2O3 ALD deposition processes on n-GaN

Sofie VandenbrouckeEldad Bahat TreidelLiad TadmorEnrico BrusaterraPaul PlateNicole BickelFrank BrunnerJoachim WürflOliver HiltJolien DendoovenChristophe Detavernier et al.

C3 Conferentie

2023