Recente technologische ontwikkelingen hebben printbare halfgeleiders, gebruikmakend van anorganische colloïdale nanokristallen (of 'quantum dots' (QD's)), ingezet om SWIR (korte golf infrarood, 1500 - 2500 nm) opto-elektronische technologie te verbeteren. Ze maken echter vaak gebruik van materialen met EU-restricties, zoals lood, cadmium of kwik, waardoor grootschalige toepassing wordt belemmerd en de haalbaarheid van IR-technologie op basis van QDs in twijfel wordt getrokken. Niet-beperkte halfgeleiders zoals InAs en InSb daarentegen zijn enorm veelbelovend, met variable absorptie over het hele SWIR-spectrum. Toch blijft het onderzoek naar InAs en InSb QDs met SWIR-overgangen achter door een gebrek aan robuuste synthesemethoden, inclusief shelling-procedures, en een beperkt begrip van hun ladingsdragerdynamica. Dit project heeft als doel om het potentieel van InAs en InSb QD's voor praktische SWIR fotodetectoren te ontsluiten door de fundamentele wetenschappelijke obstakels op te lossen op vlak van materiaal chemie en foto-fysica. Het eerste doel is om een synthese methode te ontwikkelen om monodisperse InAs en InSb QDs te verkrijgen met absorptie in het SWIR-spectrum. Het tweede doel is het verbeteren van de oppervlakte passivering en het onderzoeken van hun verband met ladingsdrager dynamica met behulp van ultrasnelle spectroscopie. Deze fundamentele resultaten leggen de basis voor het realiseren van praktische SWIR QD-fotodetectoren na afloop van het project.