Een op GaN HEMT gebaseerde bidirectionele schakelaar (BDS) kan een waardevol alternatief zijn voor de traditionele op silicium gebaseerde BDS vanwege de lage verliezen en de hoge schakelsnelheid. Het doel van dit doctoraatsonderzoek is om verschillende mogelijkheden van BDS-topologieën te bestuderen en het volledige potentieel van GaN-technologie te verkennen om een monolithisch geïntegreerde hoogvermogen-BDS te realiseren