De focus van het onderzoek van de groep is de studie van defecten inhalfgeleidermaterialen om uit te leggen van de gevolgen daarvan voorelektrische en optische eigenschappen van halfgeleidermateriaal. Dehalfgeleiders in onderzoek focus zijn Si, Ge, diamond, III-V, II-VI enCu(In/Ga) Se2, met toepassingen in micro-elektronica, opto-elektronicaen fotovoltaïsche energie (zonne-cellen). Gebreken zijn onderzocht viahun elektronische en vibrationele (lokale vibrationele modi (LVM)) enelektron magnetischeresonantie spectra. Wij streven naar het verkrijgenvan fysische eigenschappen, structurele identificatie en kwantificeringvan gebreken via verschillende elektrische karakterisering en (quasi)spectroscopische technieken. Speciale aandacht is besteed aan debepaling aan de rand van de detectiegrenzen defect. De karakteriseringtechnieken die worden gebruikt zijn elektron paramagnetisch resonantie(EPR, in samenwerking met de EMR-groep), Fourier-transform infraroodspectroscopie (FTIR) en Deep-niveau voorbijgaande spectroscopie (DLTS).