Research Explorer

Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Onderzoeker

Wim Van Der Stricht

32 Resultaten

2001

The dependence of the optical energies on InGaN composition.

Koen JacobsWim Van Der Stricht

A1 Artikel in een tijdschrift in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY

2000

Elastic strain in InGaN and AlGaN layers

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid Moerman

A1 Artikel in een tijdschrift in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY

1999

Confocal microscopy and spectroscopy of InGaN epilayers on sapphire.

Wim Van Der Stricht

A1 Artikel in een tijdschrift in JOURNAL OF MICROSCOPY-OXFORD

Effects of carrier gas on the properties of InGaN/GaN quantum well structures grown by MOCVD.

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid Moerman

A1 Artikel in een tijdschrift in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH

Elastic strain in In0.18Ga0.82N layer: A combined x-ray diffraction and Rutherford backscattering/channeling study.

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid Moerman

A1 Artikel in een tijdschrift in APPLIED PHYSICS LETTERS

Exciton localization and the Stokes' shift in InGaN epilayers.

Wim Van Der Stricht

A1 Artikel in een tijdschrift in APPLIED PHYSICS LETTERS

Interpretation of temperature-dependent transport properties of GaN/sapphire films grown by MBE and LP-MOCVD.

Zahia BougriouaIngrid MoermanWim Van Der Stricht

Interpretation of the temperature-dependent transport properties of GaN/sapphire films grown by MBE and MOCVD.

Zahia BougriouaIngrid MoermanWim Van Der Stricht

A1 Artikel in een tijdschrift in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH

Intrinsic infrared luminescence from InGaN epilayers.

Wim Van Der StrichtKoen Jacobs

A1 Artikel in een tijdschrift in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH

Intrinsic infrared luminescence from InGaN layers.

Wim Van Der StrichtKoen Jacobs

Lateral epitaxial overgrowth for GaN-based LEDs

Koen JacobsWim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

OMVPE-based epitaxial lateral overgrowth for GaN LEDs.

Koen JacobsWim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet DemeesterSteven VerstuyftPeter Van Daele

Photoluminescence mapping and Rutherford Backscattering Spectrometry of InGaN epilayers.

Wim Van Der StrichtKoen Jacobs

A1 Artikel in een tijdschrift in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH

Photoluminescence mapping and Rutherford backscattering of InGaN epilayers.

Wim Van Der StrichtKoen Jacobs

Probing nitride thin films in 3-dimensions using a variable energy electron beam

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid MoermanPiet Demeester

The optical and structural properties of InGaN epilayers with very high indium content.

Piet DemeesterIngrid MoermanWim Van Der Stricht

A1 Artikel in een tijdschrift in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY

Violet-blue InGaN/GaN MQW light emitting diodes on epitaxially laterally overgrown GaN.

Koen JacobsWim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet DemeesterSteven VerstuyftPeter Van Daele

1998

Chemical ordering in wurtzite InxGa1-xN layers grown on (0001) sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy.

Wim Van Der StrichtIngrid Moerman

A1 Artikel in een tijdschrift in APPLIED PHYSICS LETTERS

Epitaxial lateral overgrowth of GaN by OMVPE.

Koen JacobsWim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet DemeesterSteven VerstuyftPeter Van Daele

InGaN/GaN MQW blue light emitting diodes grown by OMVPE.

Wim Van Der StrichtKoen JacobsSteven VerstuyftIngrid MoermanPeter Van DaelePiet Demeester

Probing the indium mole fraction in an InGaN epilayer by depth resolved cathodoluminescence.

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

1997

Getter stabilized zeolite materials for specialty GAS purification

Wim Van Der Stricht

High Indium content InGaN films and quantum wells

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid MoermanPiet Demeester

MOVPE growth and characterization of high quality InGaN films

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

MOVPE growth of high quality InGaN films and InGaN/GaN quantum wells

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

MOVPE growth optimization of high quality InGaN films

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

A2 Artikel in een tijdschrift in Second European GaN Workshop (EGW-2), The Materials Research Society (MRS) Internet Journal of Nitride Semiconductor Research (http://nsr.mij.mrs.Org/2/16/complete.html), Vol. 2, 11-13 June Valbonne, France

Study of GaN and InGaN films grown by metalorganic chemical vapour deposition

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

A1 Artikel in een tijdschrift in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

1996

Growth and characterisation of GaN and InGaN by metalorganic chemical vapour deposition for blue light emitting devices

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

Study of GaN films by metalorganic chemical vapour deposition

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

1995

The effect of a GaN nucleation layer on GaN film properties grown by metalorganic chemical vapor deposition

Wim Van Der StrichtIngrid MoermanPiet Demeester

Accelerated aging of InGaN/GaN LED by electrical stressing

Koen JacobsJan CheynsWim Van Der StrichtIngrid Moerman

Effects of carrier gas type on the properties of InGaN/GaN quantum well structures grown by MOCVD

Wim Van Der StrichtKoen JacobsIngrid Moerman