Research Explorer

Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.

Onderzoeker

Michel Depas

Publicaties & datasets

Prijzen & Erkenningen

8 Resultaten

1995

Determination of tunnelling parameters in ultra-thin oxide layer poly-Si/SiO2/Si structures

Michel DepasB VermeirePW MertensRoland VanmeirhaegheMM Heyns

A1 Artikel in een tijdschrift in SOLID-STATE ELECTRONICS

Determination of tunnelling parameters in ultra-thin-oxide layer poly-Si/SiO2/Si structures

Michel DepasB VERMEIREPW MERTENSRoland VanmeirhaegheMM HEYNS

A2 Artikel in een tijdschrift in SOLID-STATE ELECTRONICS

Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag

Michel DepasFelix Cardon

1994

Electrical characteristics of Al/Si02/n-Si tunnel-diodes with an oxide layer grown by rapid thermal-oxidation.

Michel DepasRoland VanmeirhaegheWilly LaflereFelix Cardon

A1 Artikel in een tijdschrift in SOLID-STATE ELECTRONICS

Electrical characteristics of Al/SiO2/n-Si tunnel diodes with an oxide layer grown by rapid thermal oxidation

Michel DepasRoland VanmeirhaegheWilly LaflereFelix Cardon

A1 Artikel in een tijdschrift in SOLID-STATE ELECTRONICS

1993

Simultaneous elimination of electrically active defects in Si/SiO2 structures by implanted fluorine

VV Afanas'evMichel DepasJMM De NijsP Balk

A1 Artikel in een tijdschrift in MICROELECTRONIC ENGINEERING

Tunnel oxides grown by rapid thermal oxidation

Michel DepasRoland VanmeirhaegheWilly LaflereFelix Cardon

A1 Artikel in een tijdschrift in MICROELECTRONIC ENGINEERING

1992

A quantitative analysis of capacitance peaks in the impedance of Al/SiOx/p-Si tunnel diodes

Michel DepasRoland VanmeirhaegheWilly LaflereFelix Cardon

A1 Artikel in een tijdschrift in SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY