Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Jan Lettens
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
3
Resultaten
2023
Complications of charge pumping analysis for silicon carbide MOSFETs
Jan Lettens
Fredrik Allerstam
Jimmy Franchi
Sofie Cambré
Etienne Goovaerts
Henk Vrielinck
Peter Moens
A2
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE FORUM
2023
2022
Electrically detected magnetic resonance on 4H-SiC MOSFETs using charge pumping
Jan Lettens
Etienne Goovaerts
Henk Vrielinck
P. Moens
J. Franchi
S. Cambré
C3
Conferentie
2022
2021
Non-monotonic threshold voltage variation in 4H-SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor : investigation and modeling
F. Masin
C. De Santi
Jan Lettens
J. Franchi
M. Domeij
P. Moens
M. Meneghini
G. Meneghesso
E. Zanoni
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
2021