Voor de succesvolle realisatie van de volgende generatie van nano-schaal apparaten, het begrip van contact formatie moet worden verbeterd. Zowel de agressieve inkrimping van traditionele siliciumtechnologie, alsmede de invoering van hoge mobiliteit of grote bandafstand halfgeleiders (Ge, InGaAs, GaN, SiC), beweegt contact vorming in gebieden van vaste stof fysica die relatief onontgonnen zijn. Dit project beoogt een fundamentele studie van metaal / halfgeleidercontacten op nanoschaal afmetingen. De doelen van dit project zijn drieledig: (1) de invloed van schaalvergroting richting ultradunne films op fasevorming, textuurontwikkeling en contacteigenschappen, (2) het bestuderen contact vorming en herverdeling van de elementen op hoge mobiliteit en diepe kloof halfgeleiders en (3) het ontwikkelen van werkwijzen voor de bestrijding de contactweerstand door het besturen van de interface dipool. Om deze doelen te bereiken, de deelnemende onderzoeksteams unieke expertise en infrastructuur aan het project bijdragen. Ten eerste in situ röntgendiffractie (XRD) en Rutherford backscatterg (RBS) gebruikt om de vorming fase en textuurontwikkeling controleren terwijl de vaste stof reaktie plaatsvindt. RBS zal gemiddelde energie ionen verstrooiing (Meis) en transmissie-elektronenmicroscopie (TEM) worden gebruikt om de verdeling van elementen bestuderen tijdens contact formatie. Tenslotte zal de plaatselijke elektrische, samenstelling en kristallografische eigenschappen van de contacten worden bestudeerd door ballistische elektronen emitterend microscopie (BEEM) en geavanceerde TEM technieken.