Instellingen beheren
MENU
Over deze site
In English
Home
Onderzoekers
Projecten
Organisaties
Publicaties
Infrastructuur
Contact
Research Explorer
Uw browser ondersteunt geen JavaScript of JavaScript is niet ingeschakeld. Zonder JavaScript kan sommige functionaliteit van deze webapplicatie uitgeschakeld zijn of foutmeldingen veroorzaken. Raadpleeg om JavaScript in te schakelen de handleiding van uw browser of contacteer uw systeembeheerder.
Onderzoeker
Anja Blondeel
Profiel
Projecten
Publicaties
Activiteiten
Prijzen & Erkenningen
15
Resultaten
2002
Uniformity Control in Sputter Deposition Processes.
W DE BOSSCHER
Anja Blondeel
Guy Buyle
C1
Conferentie
2002
2001
Defect analysis of n-type silicon strained layers.
E SIMOEN
R LOO
P ROUSSEL
M CAYMAX
H BENDER
C CLAEYS
HJ HERZOG
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
2001
Electrical characterization of Ar-ion-bombardment-induced damage in Au/Si and PtSi/Si Schottky barrier contacts.
SY ZHU
Christophe Detavernier
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
Anja Blondeel
Paul Clauws
GP RU
BZ LI
A1
Artikel in een tijdschrift
in
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
2001
Lifetime measurements on Ge wafers for Ge/GaAs solar cells - chemical surface passivation.
Anja Blondeel
Paul Clauws
B DEPUYDT
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
2001
Tin doping of silicon for controlling oxygen precipitation and radiation hardness.
C CLAEYS
E SIMOEN
VB NEIMASH
A KRAITCHINSKII
M KRAS'KO
O PUZENKO
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
2001
2000
Deep levels in high-energy proton-irradiated tin-doped n-type Czochralski silicon.
E SIMOEN
C CLAEYS
VB NEIMASH
A KRAITCHINSKII
N KRASKO
O PUZENKO
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
APPLIED PHYSICS LETTERS
2000
Quantitative optical variants of deep level transient spectroscopy: application to high purity germanium.
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
2000
Tin doping effects in silicon
E SIMOEN
C CLAEYS
VB NEIMASH
A KRAITCHINSKII
M KRAS'KO
O PUZENKO
Anja Blondeel
Paul Clauws
P1
Conferentie
2000
Tin-related deep levels in proton-irradiated n-type silicon.
E SIMOEN
C CLAEYS
VB NEIMASH
A KRAITCHINSKII
N KRASKO
O PUZENKO
Anja Blondeel
Paul Clauws
C1
Conferentie
2000
1999
A BEEM study of PtSi Schottky contacts on ion-milled Si
GP RU
Christophe Detavernier
RA DONATON
Anja Blondeel
Paul Clauws
Roland Vanmeirhaeghe
Felix Cardon
K MAEX
XP QU
SY ZHU
et al.
P1
Conferentie
1999
Deep defects in n-type high-purity germanium: quantification of optical variants of deep level transient spectroscopy.
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
1999
Photoinduced current transient spectroscopy of deep defects in n-type ultrapure germanium.
Anja Blondeel
Paul Clauws
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1999
Quantitative spectroscopic determination of defects in germanium
Paul Clauws
Anja Blondeel
P1
Conferentie
1999
1998
Ontwikkeling van optische varianten van Deep Level Transient Spectroscopy voor de karakterisatie van hoog-zuiver n-type germanium
Anja Blondeel
P. Clauws
Proefschrift
1998
1997
Optical deep level transient spectroscopy of minority carrier traps in n-type high-purity germanium.
Anja Blondeel
Paul Clauws
D VYNCKE
A1
Artikel in een tijdschrift
in
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
1997